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IRF9Z34NPBF-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF9Z34NPBF-JSM

1个P沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中,实现高效能、稳定可靠的功率控制。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IRF9Z34NPBF-JSM
商品编号
C2886330
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.836克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)3.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.65nF
反向传输电容(Crss)205pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

CS540A4采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准。

商品特性

-大电流输出能力-无卤产品-高电流能力-高频产品

应用领域

-交流负载开关-蓄电池充电/放电保护-交流输入负载开关-电池充放电保护

数据手册PDF