IRF9Z34NPBF
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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描述
广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 品牌名称JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IRF9Z34NPBF商品编号
C2886330商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 87mΩ@10V,20A | |
| 功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 205pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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