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IRF9Z34NPBF-JSM
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF9Z34NPBF-JSM
- 商品编号
- C2886330
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
CS540A4采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源