温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HY4008NA2B
N沟道增强型MOSFET 耐压:80V 电流:200A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：80V/200A，RDS(ON)=3.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY4008NA2B
- 商品编号
- C2886432
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 161nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 925pF |
商品特性
- 低栅极电荷和低RDS(ON)
- 低反向传输电容，100%
- 单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路
相似推荐
其他推荐