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GL12P03-8
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- GL12P03 - 8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL12P03-8
- 商品编号
- C2886405
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
GL3010-8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOP-8，符合RoHS标准。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 14 mΩ(典型值11 mΩ)
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性表征
- 封装散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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