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GL150N03AD
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- GL150N03AD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种领域。其封装形式为QFN5×6，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL150N03AD
- 商品编号
- C2886428
- 商品封装
- QFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.227克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
GL100N03A4采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ（典型值4.1mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源