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HT2301ARTZ
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
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- 描述
- P通道增强模式功率MOSFET-VDS = -20V,ID = -3.5A
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT2301ARTZ
- 商品编号
- C2886390
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
GLN4013AS-8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。封装形式为SOP-8，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -3.5A
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 95mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理