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HYG028N10NS1B6
1个N沟道 耐压:100V 电流:230A
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- 描述
- 特性：100V/230A，RDS(ON) = 2.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V。100%雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。应用：电源开关应用。不间断电源
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG028N10NS1B6
- 商品编号
- C2886383
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 176nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 242pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.454nF |
商品概述
GL40N30A8是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路
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