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RN1427(TE85L,F)
硅NPN外延型（PCT工艺）内置偏置电阻晶体管
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- 描述
- 适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1427(TE85L,F)
- 商品编号
- C2880446
- 商品封装
- SOT-346
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 90@100mA,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@100mA,0.2V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1V@0.1mA,5V | |
| 输入电阻 | 2.2kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@1mA,50mA | |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
商品特性
- 高电流类型 (IC (max) = 800 mA)
- 内置偏置电阻
- 简化电路设计
- 减少零件数量和制造工艺
- 低VCE (饱和压降)
- 与RN2421至RN2427互补
应用领域
- 开关电路
- 逆变器电路
- 接口电路
- 驱动电路