温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM3K16CT,L3F
1个N沟道 耐压:20V 电流:100mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：适合高密度安装，采用紧凑型封装。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.0Ω 最大值 (@VGS = 4V)。RDS(ON) = 4.0Ω 最大值 (@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 15Ω 最大值 (@VGS = 1.5V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K16CT,L3F
- 商品编号
- C2880447
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.8pF |
商品概述
WST2088A是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2088A符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
相似推荐
其他推荐