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FQPF4N90C
1个N沟道 耐压:900V 电流:4A
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- 描述
- N沟道,900V,4A,4.2Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF4N90C
- 商品编号
- C2696
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 47W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@720V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 960pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：960pF @ 25V
功率 - 最大值：47W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：960pF @ 25V
功率 - 最大值：47W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F
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100+￥5.88￥294
500+￥5.4￥270
1000+￥5.18￥259
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