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FDA50N50
500V N沟道MOSFET,电流:48A,耐压:500V
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- 描述
- N沟道,500V,48A,105mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA50N50
- 商品编号
- C2718
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 48A、500V，VGS = 10V时RDS(on) = 0.105Ω
- 低栅极电荷（典型值105 nC）
- 低Crss（典型值45 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力