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FDA50N50
500V N沟道MOSFET,电流:48A,耐压:500V
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- 描述
- N沟道,500V,48A,105mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA50N50
- 商品编号
- C2718
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |