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MJ11032G
NPN 120V 50A
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- 描述
- 高电流互补硅功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MJ11032G
- 商品编号
- C2732
- 商品封装
- TO-204(TO-3)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 120V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集电极电流(Ic) | 50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4.5V |
商品概述
大电流互补硅功率晶体管可用作互补通用放大器应用中的输出器件。
商品特性
- 高直流电流增益——在集电极电流（I_C）为25 A直流电时，共发射极直流电流放大系数（h_FE）最小为1000
- 在集电极电流（I_C）为50 A直流电时，共发射极直流电流放大系数（h_FE）最小为400
- 曲线可达100 A（脉冲）
- 二极管保护至额定集电极电流（I_C）
- 内置基极 - 发射极并联电阻的单片结构
- 结温可达 +200°C
- 提供无铅封装