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FQA11N90C-F109
1个N沟道 耐压:900V 电流:11A
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- 描述
- N沟道,900V,11A,1.1Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA11N90C-F109
- 商品编号
- C2712
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@720V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源。
商品特性
- 11A、900V，VGS = 10V时，RDS(on) = 1.1Ω
- 低栅极电荷（典型值60nC）
- 低Crss（典型值23pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力