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SGH15N60RUFD
短路保护IGBT,电流:24A,耐压:600V
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- 描述
- 600V 24A IGBT
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SGH15N60RUFD
- 商品编号
- C2715
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 948pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 101pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 8.0 A、800 V，漏源导通电阻（RDS(on)） = 1.55 Ω（最大值），在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 4.0 A时
- 低栅极电荷（典型值35 nC）
- 低反向传输电容（典型值13 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器