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FQPF8N60C

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:600V 电流:7.5A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    N沟道,600V,7.5A,1.2Ω@10V

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    FQPF8N60C
  • 商品编号

    C2703
  • 商品封装

    TO-220F-3
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.89克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,3.75A
属性参数值
功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)36nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.255nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1255pF @ 25V
功率 - 最大值:48W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220F

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