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FQA9N90C-F109
1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
- 描述
- N沟道,900V,9A,1.4Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA9N90C-F109
- 商品编号
- C2711
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）设计
- 在雪崩和换向模式下可承受高能量
- NVF2955、NVF2955P符合AEC-Q101标准
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 转换器
- 电源管理