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FQP8N80C
N沟道,电流:8.0A,耐压:800V
- 描述
- N沟道,800V,8A,1.55Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP8N80C
- 商品编号
- C2704
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品特性
-沟槽技术-低导通态漏源电阻(RDS(ON)),以最小化传导损耗-低电容,以最小化驱动损耗-优化的栅极电荷,以最小化开关损耗-这些是无铅器件
应用领域
-VCORE应用-直流-直流转换器-高端/低端开关