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FQP8N80C
N沟道,电流:8.0A,耐压:800V
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- 描述
- N沟道,800V,8A,1.55Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP8N80C
- 商品编号
- C2704
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品特性
- 8.0 A、800 V,在 VGS = 10 V、ID = 4.0 A 条件下,RDS(on) = 1.55 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值35 nC)
- 低Crss(典型值13 pF)
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器