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FQP50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- N沟道,60V,50A,22mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP50N06
- 商品编号
- C2710
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1540pF @ 25V
功率 - 最大值：120W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1540pF @ 25V
功率 - 最大值：120W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单