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FQPF5N60C
N沟道,电流:4.5A,耐压:600V
- 描述
- N沟道,600V,4.5A,2.5Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF5N60C
- 商品编号
- C2698
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：670pF @ 25V
功率 - 最大值：33W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：670pF @ 25V
功率 - 最大值：33W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单