1个N沟道 耐压:30V 电流:5.3A
- 10+: ¥0.438261 / 个
- 100+: ¥0.358261 / 个
- 300+: ¥0.318261 / 个
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
功率(Pd) | 1.39W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@10V,6.7A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.7nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 370pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 21pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |