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ME2614
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.3A
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- 描述
- ME2614是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低线路功率损耗的电池供电电路，且采用超小外形的表面贴装封装
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME2614
- 商品编号
- C2841352
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 213mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 849pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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