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ME7232S-G
1个N沟道 耐压:30V 电流:68.6A
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- 描述
- ME7232S-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现较低的功率损耗
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME7232S-G
- 商品编号
- C2841368
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.527nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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