1个N沟道 耐压:30V 电流:68.6A
- 1+: ¥1.0522 / 个
- 10+: ¥0.9262 / 个
- 30+: ¥0.8722 / 个
- 100+: ¥0.8048 / 个
- 500+: ¥0.7748 / 个
- 1000+: ¥0.7568 / 个 (折合1圆盘2270.4元)
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¥0.7748 / 个 |
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¥0.7568 / 个 (折合1圆盘2270.4元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 68.6A | |
功率(Pd) | 37.8W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.9mΩ@10V,8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33.2nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.527nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 151pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |