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ME4972-G
2个N沟道 耐压:150V 电流:1.9A
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- 描述
- ME4972-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且采用超小外形表面贴装封装，可实现低在线功率损耗
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME4972-G
- 商品编号
- C2841375
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 376mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 657pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 额定周期性雪崩耐量
- 额定极高dv/dt耐量
- 超低有效电容
- 改进的跨导
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证