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SI2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- SI2302
- 商品编号
- C2841377
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
ME96N03-G是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 20V、2.6A,VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 83 mΩ(典型值)
- VGS = 2.5V 时,RDS(ON) = 120 mΩ(典型值)
- 获得无铅产品认证
- 坚固可靠
- SOT - 23 封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理