温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPM2302LS3
耐压:20V 电流:2.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM2302LS3
- 商品编号
- C2841418
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,2.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过优化，可降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制，UniFET FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其反向恢复时间（trr）小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件，提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 当VGS = 10V、ID = 50A时，RDS(on) = 43mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值238nC）
- 低Crss（典型值64pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 不间断电源-交直流电源