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TPM2031-3
P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 特性：无铅产品。 表面贴装封装。 具有低RDS(on)的P沟道开关。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 栅极具有ESD保护。 与TPM2018EX3互补。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM2031-3
- 商品编号
- C2841420
- 商品封装
- SOT-723-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
ME13N10A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 与TPM2018EX3互补
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换