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SI2301DS
耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 应用：电池保护。负载开关。电源管理
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- SI2301DS
- 商品编号
- C2841444
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
该产品采用先进的沟槽技术MOSFET，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平移位高端开关，还适用于众多其他应用。
商品特性
- 漏源极电压VDS：200V
- 漏极电流ID（栅源极电压VGS = 10V时）：1.7A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源极电压VGS = 10V时）：< 0.85 Ω
- 导通电阻RDS(ON)（栅源极电压VGS = 4.5V时）：< 0.9Ω
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（人体模型HBM）：>5.0 kV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器