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ME60N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:39A
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- 描述
- ME60N04是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流-直流转换器电路
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME60N04
- 商品编号
- C2841469
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.491克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ME7423 P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- RDS(ON) ≤13mΩ@VGS~~- 10V
- RDS(ON) ≤17mΩ@ VGS~~- 4.5V
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-负载开关-数码相机-P沟道MOSFET