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ME60N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:39A
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- 描述
- ME60N04是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流-直流转换器电路
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME60N04
- 商品编号
- C2841469
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.491克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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