AO4407A
1个P沟道 耐压:30V 电流:14A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规格）。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4407A
- 商品编号
- C2841482
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V；14.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V；20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
ME7232S-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中实现低功耗。
商品特性
- 在 VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 5mΩ
- 在 VGS = 4.5V 时，RDS(ON) ≤ 7mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC 转换器-负载开关-数码相机-LCD 显示器逆变器
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