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ME3587-G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.6A
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- 描述
- N-和P-通道逻辑增强模式功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小尺寸表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME3587-G
- 商品编号
- C2841470
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- RDS(ON) ≤45mΩ@VGS=4.5V(N沟道)
- RDS(ON) ≤68mΩ@Vgs=2.5V(N沟道)
- RDS(ON) ≤120mΩ@Vgs=1.8V(N沟道)
- RDS(ON) ≤110mΩ@Vgs=-4.5V(P沟道)
- RDS(ON) ≤130mΩ@VGS=-2.5V(P沟道)
- RDS(ON) ≤170mΩ@VGS=-1.8V(P沟道)
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器
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