1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
- 5+: ¥0.65739 / 个
- 50+: ¥0.53739 / 个
- 150+: ¥0.47739 / 个
- 500+: ¥0.43239 / 个
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
功率(Pd) | 1.18W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 37mΩ@4.5V,3.4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.4nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 340pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |