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ME20N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:20.8A
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- 描述
- N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME20N15
- 商品编号
- C2841373
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@7V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.039nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |