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MEE15N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:19.8A
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- 描述
- MEE15N10-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 EMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- MEE15N10
- 商品编号
- C2841362
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.459克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 314pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
G45P40K采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -40V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10 V时） -45A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10 V时） < 14 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关-直流-直流转换器