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ME96N03-G
1个N沟道 耐压:30V 电流:107.2A
- 描述
- ME96N03 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，并且采用非常小尺寸的表面贴装封装
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME96N03-G
- 商品编号
- C2841363
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 107.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.892nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 277pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 3.4mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 6.3mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-电源管理-DC/DC转换器-负载开关