1个N沟道 耐压:30V 电流:107.2A
- 1+: ¥1.666 / 个
- 10+: ¥1.4665 / 个
- 30+: ¥1.381 / 个
- 100+: ¥1.2743 / 个
- 500+: ¥1.2268 / 个
- 1000+: ¥1.1983 / 个 (折合1圆盘2995.75元)
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¥1.2743 / 个 |
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¥1.2268 / 个 |
1000+: |
¥1.1983 / 个 (折合1圆盘2995.75元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 107.2A | |
功率(Pd) | 62.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.9mΩ@10V,40A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 32.4nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.892nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 277pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |