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ME10N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:7.6A
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- 描述
- ME10N15是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且适用于需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME10N15
- 商品编号
- C2841364
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 345mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 538pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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