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ME7170
N沟道 耐压:30V 电流:110A
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- 描述
- ME7170 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要低侧开关且采用超小外形表面贴装封装以降低在线功率损耗的电池供电电路
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME7170
- 商品编号
- C2841360
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.406nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 418pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 487pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -4A
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 36mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -2.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 49mΩ
- 静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）2500V
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换