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ME2612
1个N沟道 耐压:150V 电流:2.2A
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- 描述
- N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用非常小的外形表面贴装封装。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME2612
- 商品编号
- C2841351
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 375mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 543pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
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起订量：1 个2500个/圆盘
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