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STW70N60DM6-4
N沟道,电流:62A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW70N60DM6-4
- 商品编号
- C2688511
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品概述
WTM2306采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
- 得益于额外的驱动源引脚,开关性能出色
应用领域
-开关应用