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STWA20N95K5
1个N沟道 耐压:950V 电流:17.5A
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- 描述
- N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA20N95K5
- 商品编号
- C2688508
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.066667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，此技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 100V，漏极电流 (ID) = 20A
- 漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 7.4 mΩ，典型值，栅源电压 (VGS) = 10V 时
- 漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 9.0 mΩ，典型值，栅源电压 (VGS) = 4.5V 时
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)
- 极低的导通电阻 (RDS(on))
- 工作温度可达 150°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试 (UIS TESTED)！
- 100% 进行了 ΔVds 测试！
应用领域
-DC/DC 转换器-非常适合高频开关和同步整流应用