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STY145N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:138A
- 描述
- N沟道650 V、0.012 Ohm典型值、138 A MDmesh M5功率MOSFET，Max247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STY145N65M5
- 商品编号
- C2688505
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 138A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 414nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 413pF |
商品概述
NCEP090N85AGU采用超级沟槽II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用