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ST3401M23RG
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- ST3401M23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低线路功率损耗的场合
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST3401M23RG
- 商品编号
- C2682890
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
STP4435是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如LCD背光、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 30V / -9.2A，漏源导通电阻（RDS(ON)）= -22 mΩ（典型值），VGS = -10V
- -30V / -7.0A，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 30 mΩ，VGS = -4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP - 8封装设计
应用领域
- LCD背光
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路