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STN4402
N通道增强型MOSFET,电流:12A,耐压:30V
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- 描述
- STN4402是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理以及需要高端开关的其他电池供电电路
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN4402
- 商品编号
- C2682797
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形VDMOS技术制造。这项最新技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，并具备高抗雪崩特性。该器件特别适用于半桥和全桥谐振拓扑，如电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正。
商品特性
- 30V/12A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 13 mΩ(典型值)
- 30V/10A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 18 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP-8封装设计