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TPS53317ARGBT

用于DDR存储器终端的6A输出、D-CAP+模式、同步降压集成FET转换器

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描述: TPS53317A 用于 DDR VTT 的 0.9V-6V 输入、6A 输出、D-CAP+ 模式 SWIFT 同步降压转换器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS53317ARGBT
商品编号: C2650345
商品封装: VQFN-20-EP(3.5x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.31克(g)

商品参数

商品概述

TPS53317A 器件是一款设计为主要用于DDR 终端的集成场效应晶体管(FET) 同步降压稳压器。它能够提供一个值为 1/2 VDDQ 的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。该器件还可用于其他电流要求高达6A 的负载点(POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的6A 完整灌电流输出。

该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定(UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和SP/POSCAP 电容。该器件支持的输入电压最高可达6V，而输出电压在0.45V 至2.0V 范围内可调。

TPS53317A 器件采用 3.5mm×4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线(VQFN) 封装（绿色环保，符合RoHS标准并且无铅），其中应用了专有的集成MOSFET和封装技术，其额定运行温度范围为 -40°C 至 85°C 。

商品特性

采用专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和封装技术支持DDR 内存终止，具有高达6A 的持续输出源电流或者吸收电流
外部跟踪
最少的外部组件数
0.9V 至6V 转换电压
D-CAP+ 模式架构支持所有多层片式陶瓷输出电容器和SP/POSCAP
可选跳跃(SKIP) 模式或者强制CCM
轻量级负载与重负载下的优化效率
可选600kHz 或者1MHz 开关频率
可选过流限制(OCL)
过压、过热和断续欠压保护
可调输出电压范围为0.45V 至2V
3.5mm×4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线(VQFN) 封装

应用领域

用于DDR、DDR2、DDR3 和DDR4 的存储器终端稳压器
VTT 终止
用于0.9V 至6V 输入电源轨的低电压应用

	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	900mV~6V
	输出电压	450mV~2V
	输出电流	6A
	开关频率	1MHz；600kHz

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃@(TA)
	同步整流	是
	输出通道数	1
	拓扑结构	降压式
	开关管(内置/外置)	内置
	输出类型	可调