TPS51116RGET

TPS51116 提供一个用于DDR/SSTL - 2、DDR2/SSTL - 18、DDR3/SSTL - 15、DDR3L、LPDDR3 和DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频400kHz、伪恒定频率脉宽调制(PWM)，此控制可在D - CAP™中配置易于使用和最快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流LDO 只需20μF (2×10μF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制，此类控制在S3（挂起到RAM）中将VTT 置于high - Z 状态并且在S4/S5（挂起到硬盘）中将VDDQ、VTT 和VTTREF（软关闭）放电。该器件还具有全部保护特性，包括热关断保护，并且提供20引脚HTSSOP PowerPAD™封装和24 引脚4×4 QFN 封装。

• 同步降压控制器(VDDQ)
• 宽输入电压范围: 3.0V 至28V
• 负载阶跃响应为100ns 的D−CAP™模式
• 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
• 支持S4/S5 状态内的软关闭
• 利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测
• 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和DDR4）或输出范围0.75V 至3.0V
• 配备有电源正常、过压保护和欠压保护
• 3A LDO (VTT)，经缓冲基准(VREF)
• 拉电流和灌电流的能力达到3A
• 提供LDO 输入以优化功率损耗
• 只需20μF 陶瓷输出电容器
• 经缓冲的低噪声10mA VREF 输出
• 针对VREF 和VTT 的±20mV 精度
• 在S3 中支持高阻抗(high - Z)，在S4/S5 中支持软关闭
• 热关断

• DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4 存储器电源
• SSTL - 2、SSTL - 18、SSTL - 15 和HSTL 终端