TPS51716RUKT

TPS51716用最少总体成本和最小空间提供一个用于DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4内存系统的完整电源。它将同步降压稳压器控制器(VDDQ)与2A灌电流/拉电流跟踪LDO (VTT)和缓冲低噪声基准(VTTREF)相集成。TPS51716采用融合了500kHz或670kHz工作频率的D-CAP2模式，此模式可在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。 VTTREF跟踪VDDQ/2的精度高达0.8%。能够提供2A灌电流/拉电流峰值电流功能的VTT，而且只需10μF的陶瓷电容。此外，该器件还具有专用LDO电源输入。 TPS51716提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将VTT置于S3中的高阻抗状态并在S4/S5状态中将VDDQ，VTT和VTTREF放电（软关闭）。它包括具有低侧MOSFETRDS（接通）感测的可编程OCL，OVP/UVP/UVLO和热关断保护。 The TPS51716 provides a complete power supply for DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR3, and DDR4 memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51716 employs D-CAP2 mode coupled with 500 kHz or 670 kHz operating frequencies that supports ceramic output capacitors without an external compensation circuit. The VTTREF tracks VDDQ/2 with excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, the device features a dedicated LDO supply input.

• 同步降压控制器(VDDQ)
• 转换电压范围：3V至28V
• 输出电压范围：0.7V至1.8V
• 0.8% VREF精度
• D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
• 可选500kHz/670kHz开关频率
• 自动跳频功能优化了轻负载和重负载时的效率
• 支持S4/S5状态中的软启动
• 过流(OCL) / 过压(OVP) / 欠压(UVP) / 欠压闭锁(UVLO)保护
• 电源正常输出
• 2A LDO (VTT)、缓冲基准(VTTREF)
• 2A（峰值）灌电流和拉电流只需10μF陶瓷输出电容器
• 经缓冲的，低噪声，10mA VTTREF输出
• 0.8% VTTREF，20mV VTT精度
• 在S3中支持高阻抗(High-Z)而在S4/S5中支持软关闭
• 热关断
• 20引脚3mm×3mm WQFN封装

• DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4内存电源
• SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135和HSTL终端