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HPESDUC2XD3V3BF
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线设计，可在3.3V电压下稳定工作，提供4A峰值电流防护，有效抵御静电破坏。其电容值仅为0.55pF，确保高速信号传输无衰减，是保护高频数据线路、提升系统稳定性和数据完整性的理想选择。
- 商品型号
- HPESDUC2XD3V3BF
- 商品编号
- C22439765
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004463克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 24V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 96W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.55pF |
商品概述
HPESDUC2XD3V3BF 可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了同类防护。它为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。封装为 DFN0603-2L。
商品特性
- 为高速数据线提供瞬态保护
- 符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（接触放电）和 ±8kV（空气放电）标准
- 符合 IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50 ns) 标准
- 封装针对高速线路优化
- 低电容：0.55pF（典型值）
- 超小封装 (0.6mm×0.3mm×0.3mm)
- 保护一条 I/O 线路
- 低钳位电压
- 低漏电流