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AGMH606H
耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：80A功率(Pd）：83W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：5.4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）76nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.009nF@30V ,Vds=60v Id=80A Rds=5.4mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH606H
- 商品编号
- C22399931
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.743克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.009nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 243pF |
商品概述
MS16N65S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器