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AGM12N10MNA
耐压:100V 电流:55A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11Ω@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：21.8nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.191nF@40V ,Vds=100V Id=55A Rds=11Ω,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM12N10MNA
- 商品编号
- C22399939
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.191nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 188pF |
商品概述
AGM12N10MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 R\textDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器