AGM218MAP

N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:20A

描述

类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：20A/-19A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,4A;24mΩ@-4.5V,-4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA/-0.7V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V;18nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.637nF@10V;0.673nF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

品牌名称

AGMSEMI(芯控源)

商品型号

AGM218MAP

商品编号

C22399941

商品封装

PDFN-8(3.3x3.3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.075克(g)