AGM13T15D
耐压:135V 电流:58A
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- 描述
- 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):135V 连续漏极电流(Id):58A 功率(Pd):120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs):33nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.255nF@40V ,Vds=135V Id=58A Rds=15.5mΩ,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM13T15D
- 商品编号
- C22399942
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.405克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.255nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品概述
AGM13T15D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 R\textDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器
- AGMH065N10A
- AGM55N15A
- AGM208D
- AGM4008LL
- AGM628DM1
- AGM400D170B6TC
- DL330112
- PS2806-1-F3-A
- 20-200-100-35
- 20-150-100-35
- T5-E1
- RS8920XK-G
- TLV75733PDYDR
- AX.ZBN.M12.P04.MPL. PBA24L1000.T5
- AX.ZLN.M12.P05.MPL.PBA24L1000.T5
- AX.ZLN.M12.P08.MPL.PBA26L1000.T5
- AX.ZLN.M12.P12.MPL.PBA26L1000.T5
- XKB10A-7R-4L
- XKB10A-7R-5L
- XKB10A-7R-6L
- XKB10A-7R-4A


