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AGMH065N10A实物图
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AGMH065N10A

耐压:100V 电流:95A

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描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):95A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):2.15nF@50V ,Vds=100V Id=95A Rds=5.8mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGMH065N10A
商品编号
C22399943
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.143克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)1.83nF
反向传输电容(Crss)18pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)750pF

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