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AGM4008LL
耐压:40V 电流:500A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：500A 功率(Pd)：428W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.63mΩ@10V,50A 栅极电荷(Qg@Vgs)：221nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.369nF@20V ,Vds=40V Id=500A Rds=0.63mΩ,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM4008LL
- 商品编号
- C22399946
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.919克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 428W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 221nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.369nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 896pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5.013nF |
商品概述
AGM4008LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器
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